内置超低阻抗N-MOS的PD协议芯片HUSB381，解决18W~65W的快充设计需求

HUSB381是慧能泰半导体全新推出的一款高性能、小尺寸的USB PD Source芯片，支持18 W~65 W功率输出，有利于小型化快充电源设计。HUSB381 符合最新的Type-C 2.1和USB PD3.1标准，支持5 V、9 V、12 V、15 V和20 V FPDO和2个可编程的APDO。HUSB381具有高集成度，内置了超低阻抗的N-MOS，HUSB381采用ESSOP-10L封装，适用于各类AC-DC电源适配器、车载充电器等应用。

HUSB381内置超低阻抗的N-MOS，在大电流（比如5 A）工作状态下可以降低功率损耗。

面对目前市场上18 W~65 W单C口快充的需求，以上设计支持自由设定PD输出电压电流，同时还支持恒压恒流控制。简单的外围设计大大降低了设计难度并减少了BOM成本，满足了高效、小型化的设计需求。

产品特性

• 符合USB Type-C 2.1和USB PD3.1标准

• 支持5 V、9 V、12 V、15 V和20 V FPDO

• 支持2个可编程的APDO

• 低至5 mA的轻载检测

• 集成超低阻抗N-MOSFET

• 多种电缆补偿可选

• 集成OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP、CC OVP、OTP保护

• ESSOP-10L 封装

• ±2 kV HBM ESD

目前，HUSB381已量产出货，欢迎联系我们申请样品。同时，也可联系我们了解HUSB381更多信息与参考设计。