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慧能泰全新超高集成度USB PD协议芯片HUSB380,内置低阻抗N-MOS

发布时间:2022-11-25

    HUSB380是慧能泰半导体全新推出的一款高集成、高性能、小尺寸的USB PD Source芯片,支持15W~65W功率输出,有利于小型化快充电源设计。

    HUSB380 符合最新的Type-C 2.1和USB PD3.1标准,支持PD3.0、PD2.0、PPS、QC2.0/QC3.0、FCP、AFC、BC1.2 DCP、SCP等协议,支持多达5个具有可编程电压和电流的FPDO 和2个APDO。它内置了低阻抗N-MOS,集成了过压保护(OVP)、欠压保护 (UVP)、欠压锁定(UVLO)、过流保护 (OCP) 、快速过流保护(FOCP)和热关断(TSD)等必需的保护,具有超高的集成度HUSB380采用QFN-32L(4 mm x 4 mm)的封装形式,适用于各类AC-DC电源适配器、车载充电器等应用。

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图1. HUSB380典型应用参考图

HUSB380产品特性


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图2. HUSB380引脚封装效果图

HUSB380典型应用参考设计

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图3. HUSB380 单C口参考设计小板实物图

    基于HUSB380实现的单C口快充电源设计,可以支持动态降功率,通过引脚在18W、20W、25W、30W、45W和60W之间切换。HUSB380采用QFN-32L(4 mm x 4 mm)相同引脚数下,DFN封装具有体积小、重量轻等优势。另外,QFN封装的底部中央通常为一个大面积裸露焊盘,可以用来导热,所以HUSB380还具有良好的散热性。
    另外,因为HUSB380内置了低阻抗N-MOSFET,可简化电路设计,节省电路板空间并大大降低BOM成本。


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