发布时间:2024-02-22
慧能泰HySwitch系列新突破:慧能泰特别推出了HP3000双通道低侧驱动器,采用2 mm x 2 mm DFN-8L的超小型封装形式,支持高达35 V的供电耐压。
图1:HP3000 DFN2x2-8L封装图
这一创新举措旨在为客户提供更为紧凑的解决方案,可以显著节省电路板布局空间,并有力提升产品的功率密度。用户可以根据不同应用场景灵活选择,直接采用这款极小封装版本进行便捷替换,适用于模块电源等应用,以满足更高的集成度和设计优化需求。
图2: SOP-8L封装(左)与DFN2x2-8L(右)封装大小对比
图3: SOP-8L封装(左)与DFN2x2-8L封装(右)
HP3000是慧能泰HySwitch产品系列下的一款双通道低侧驱动器,具有两路独立的栅级驱动能力,提供高达5A的峰值源电流和5A的峰值灌电流。广泛适用于电机控制和开关电源系统中,如通信电源、服务器电源、PC电源、砖模块电源、逆变器、EV直流充电桩充电模块、汽车PTC、GaN 等新兴宽带隙功率器件等应用。
图4:HP3000典型应用电路图
在开关电源系统中,需要利用栅极驱动器来有效地结合电平转换和缓冲器驱动功能。在控制器的PWM 输出和功率半导体器件的栅极之间采用栅极驱动器器件,可实现功率器件的快速开关以及减少开关功率损耗,提高系统的集成度和可靠性。在GaN等新兴的宽带隙功率器件技术中,极高的开关频率操作对栅极驱动产品提出了特殊要求,比如在低VDD电压(5V或更低)下运行、严格的延迟匹配以及具有良好散热能力的紧凑型低寄生电感的封装。HP3000可满足上述场景中对栅极驱动器功能和性能的严苛要求。在12V的VDD供电情况下,HP3000能够提供5A的峰值源电流和5 A的峰值灌电流,可有效减少MOSFET开关过渡期间产生的米勒效应。
业界领先的耐压能力
HP3000还拥有业界领先的耐压能力,35 V的VDD供电引脚耐压,-12 V的输入引脚耐负压,高鲁棒性使其能够适应恶劣的系统环境。
芯片特性
每个通道具有 5 A 的典型峰值拉取和灌入驱动电流
输入和使能引脚能够处理 –12 V 的电压
输出端能够处理 –2 V 的瞬态电压
绝对最大 VDD 电压:35 V
宽 VDD 工作电压范围:4.5 V 至 30V,具有 UVLO 功能
具有两个独立的栅极驱动通道
针对每个输出提供独立的使能功能
可实现高抗噪性的迟滞逻辑阈值
VDD 独立输入阈值(兼容 TTL)
快速传播延迟(典型值为 22 ns)
快速上升和下降时间(典型值为 7 ns 和 9 ns)
两个通道之间的延迟匹配时间典型值为 1 ns
可将两个通道并联以获得更高的驱动电流
DFN2x2-8L和SOP-8L封装选项
工作结温范围:–40°C 至 150°C